SiC MOSFET (Silicon Carbide MOSFET) — 실리콘 카바이드(SiC) 기반 전력 반도체. 기존 실리콘(Si) 대비 더 높은 전압 내성·전력 밀도·열 효율을 제공해 전기차 파워트레인 전동화의 핵심 기술. 트랙션 인버터·OBC·DC/DC 컨버터·E-Compressor 등 EV 전력 변환 장치 전반에 적용된다.
SiC vs Si 성능
- 더 높은 항복 전압 — 800V 시스템 등 고전압 EV 적합
- 더 낮은 스위칭 손실 — 효율 향상
- 더 빠른 스위칭 속도
- 더 높은 동작 온도
주요 공급사 — STMicroelectronics
STMicroelectronics 페이지 상세. ST는 3개 SiC 허브(이탈리아 카타니아·싱가포르·중국 충칭)에서 웨이퍼 제조 역량 극대화. 카타니아에 세계 최초 완전 통합 SiC 캠퍼스 — SiC 기판 개발·에피택셜 성장·200mm 프런트 엔드 웨이퍼 제조·디바이스/모듈 백엔드·전체 패키징을 한 곳에 통합.
ST 패키지 라인업
| 패키지 | 특징·적용 |
|---|---|
| HU3PAK | 상단 냉각 패키지, 글로벌 EV 업체 OBC·LDC·E-Compressor 양산 입증 |
| ACEPACK SMIT | 모듈 형태 상단 냉각, 내부 하프브릿지 컴팩트 디자인 |
| ACEPACK DMT32 | 3세대 SiC, 풀브릿지·식스팩 토폴로지, 최대 22kW 컨버터·인버터 |
| ACEPACK DRIVE | 400~800V 트랙션 인버터 컴팩트 전력 모듈 |
준비 중: 양방향·단방향 냉각 패키지로 더 효율적 열 관리.
ST 4세대 SiC MOSFET
3세대 대비 더 높은 전력 효율·전력 밀도·견고성. 부품 경량화 → 차량 무게 감소 → 주행거리 연장.