GaN HEMT (Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor) — 갈륨 나이트라이드(GaN) 화합물 반도체 기반 차세대 전력 트랜지스터. 대표적인 와이드 밴드갭 소자로, 규소(Si) 대신 갈륨(Ga)·질소(N) 화합물로 만든다. 전력 변환 손실을 줄이고 고속 스위칭으로 부품 사이즈 소형·경량화에 이점을 제공한다.
핵심 강점
- 기존 Si 대비 전력 변환 손실 감소
- 고속 스위칭 — 부품 사이즈 소형·경량화
사례 — STMicroelectronics
STMicroelectronics 페이지 상세. ST는 Bidirectional GaN-on-Si 구조 GaN HEMT를 2026년 양산 타깃으로 준비:
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 고전압 라인업 | 700V·900V (2026 양산) |
| 저전압 개발 | 100V (개발 중) |
| 메인 패키지 | TOLT·QDPAK (SMD) |
| 타깃 애플리케이션 | OBC·DC/DC 컨버터·차량용 어댑터 |
| 인증 | AEC-Q101 준비 |